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产品详情
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| 详细说明
TM2132是一个高压、高速的MOSFET、IGBT驱动器。它有三个半桥式栅极驱动，高压侧的VS引脚采用浮动电压设计，可以适应浮动电压高达200V的半桥电路，上下桥互补设计，允许高端采用N沟道的MOSFET、IGBT；TM2132的逻辑保护功能，可以防止上下桥直通，提高整个电路的可靠性。
| 产品特性
• VS引脚允许浮动的电压高达+200V，适用于自举升压操作
• 栅极驱动器的电压范围宽（10V~17V)
• VCC具备欠压锁定功能，在欠压时关断输出
• 输入兼容3.3V、5V CMOS逻辑电平
• 所有输入引脚都有CMOS施密特触发器，提高抗噪声能力
• 高端输出相位与（A、B、C）HIN同相
• 低端输出相位与（A、B、C）HIN反相
• 内置逻辑保护
• 内置死区时间
• 拉电流能力为130mA
• 灌电流能力为270mA
• 封装形式：SSOP20、QSOP20
| 应用说明
主要应用电动车市场。
| 产品封装
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